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市場需求一款能夠與GaN芯片尺寸相匹配的單層陶瓷電容

在將GaN芯片與單層陶瓷電容打線接合時(shí)，由于GaN芯片的輸出功率非常強(qiáng)大，為了能匹配與之相應(yīng)的需求，一般會用多根引線進(jìn)行調(diào)整。而由于市場上主流的GaN芯片都以矩形為主，所以電容的長度必須要與GaN芯片所吻合。但是單層陶瓷電容的制作對長寬比有限制要求，所以需生產(chǎn)一款能夠與之尺寸匹配的電容并非易事

（↑目前為止的匹配方法。必須使用復(fù)數(shù)的電容與之匹配）

「高長寬比矩形電容」減少配件數(shù)量

Tecdia成功研制出了能夠與GaN芯片尺寸完美匹配的矩形單層陶瓷電容。一般來說電容的長寬極限比為1:3，而突破這層極限調(diào)整比例為 1:6的話不但可以免去使用多個(gè)電容排列，同時(shí)還能夠減少部件的封裝數(shù)量，降本增效。

省去了縱向同時(shí)封裝多個(gè)電容的繁瑣，為顧客實(shí)行降本增效做出貢獻(xiàn)